MOSFET
6N60-C
2016-08-16 11:40  点击:40
价格:未填
品牌:UTC
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6N60-C参数


 
  制造商
  台湾友顺科技集团公司
  产品种类
   6.2A,600V N沟道功率MOSFET
  产品特性
  超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力、改进的dv / dt能力,高耐用性
  电压VDSS
   600V
  电流ID
   6.2A
  电流IDM
   24.8A
  工作温度
  -55°C~ +150°C
  封装
   TO220F1/TO220F2/TO251S/TO252
  替换型号
   /

6N60-C概述


 

6N60-C是UTC一种高电压功率MOSFET,并设计成具有更好的特性,如快速开关时间,低栅极电荷,低通态电阻和具有较高坚固耐用的特点雪崩。这个功率MOSFET通常在高速开关应用中开关电源使用耗材和适配器。
 

6N60-C引脚图/引脚功能



UTC 6N60-C引脚图/引脚功能

 

6N60-C典型应用电路图


UTC 6N60-C典型应用电路图

联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
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