品牌:UTC
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4N70Z-E参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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4A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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雪崩能量指定、改进的dv / dt能力，高耐用性
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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4A
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电流IDM
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16A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F1
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替换型号
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4N70Z-E概述
4N70Z-E是UTC一款高电压功率MOSFET，并设计成具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，低通态电阻和高耐用雪崩。这种高速开关功率MOSFET通常电源供应器，PWM马达控制，高效的DC所使用DC转换器和桥接电路。
4N70Z-E引脚图/引脚功能
4N70Z-E典型应用电路图
