品牌:UTC
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7N60-M参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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7.4A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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快速开关能力、改进的dv / dt能力，高耐用性
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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7.4A
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电流IDM
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29.6A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/TO220F/TO-262/TO263
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替换型号
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7N60-M概述
7N60-M是UTC一个高电压功率MOSFET和是设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低栅极电荷，低通态电阻，具有较高的坚固雪崩特性。这个功率MOSFET通常在使用开关电源高速开关应用和适配器。
7N60-M引脚图/引脚功能
7N60-M典型应用电路图
