品牌:UTC
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4N65Z-E参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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4A, 650V N沟道MOSFET
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产品特性
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快速交换能力、改善dv / dt能力,高强度
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电压VDSS
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650V
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电流ID
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4A
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电流IDM
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16A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F1/ TO-252
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替换型号
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4N65Z-E概述
UTC 4N65Z-E是一个高电压功率MOSFET设计有更好的特性,如快速开关时间,较低的门电荷,低开态电阻和高坚固的雪崩的特点。这种功率MOSFET通常用于高速切换应用程序包括电源、PWM电机控制,高效直流对直流转换器和桥电路。
4N65Z-E引脚图/引脚功能
4N65Z-E典型应用电路图
