品牌:UTC
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6N60-P参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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6.2A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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6A
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电流IDM
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24A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/TO220F/TO251/TO263/TO252
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替换型号
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6N60-P概述
6N60-P是UTC一个高电压功率MOSFET和是设计成具有更好的特性，如快速开关时间，低栅极电荷，低通态电阻和具有较高坚固耐用的特点雪崩。这个功率MOSFET通常在高速开关应用中开关电源使用耗材和适配器。
6N60-P引脚图/引脚功能
6N60-P典型应用电路图
