品牌:UTC
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19N10V参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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100V N沟道MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
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电压VDSS
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100V
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电流ID
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15.6A
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电流IDM
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62.4A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO251/ TO252
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替换型号
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19N10V概述
UTC 19N10V是100V N沟道增强型发电场场效应晶体管（MOSFET）由UTC的平面条形的生产，已在特别定制DMOS技术雪崩和减刑模式，以降低通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲。它们适用于低电压的应用，如音频功放，高效率开关DC / DC转换器和直流电机控制。
19N10V引脚图/引脚功能
19N10V典型应用电路图
