品牌:UTC
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UTT4N10参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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3.5A，100V N沟道 沟槽MOS逻辑电平FET
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产品特性
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低栅极电荷
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电压VDSS
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100V
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电流ID
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3.5A
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电流IDM
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14A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252/ SOT223
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替换型号
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/
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UTT4N10概述
UTT4N10是UTC一个N沟道沟槽MOS逻辑电平场效应管，它采用UTC的先进技术，为客户提供最低通态电阻和低门电荷。该UTC UTT4N10适用于消费电子，计算和通信等。
UTT4N10引脚图/引脚功能
