品牌:UTC
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5N25Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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3.8A，200V逻辑N沟道MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、低CRSS、高开关速度、ESD能力
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电压VDSS
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250V
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电流ID
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3.8A
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电流IDM
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9A
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雪崩能力EAS
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60mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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/
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5N25Z概述
5N25Z是UTC一个N沟道增强型MOSFET，它使用UTC的先进技术，为客户提供最低通态电阻，高开关速度和低栅极电荷。 它也能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。该UTC5N25Z适用于高效率开关DC / DC转换器，马达控制和开关模式电源。
5N25Z引脚图/引脚功能
5N25Z典型应用电路图
