品牌:UTC
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2N90Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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2A，900V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低CRSS、高开关速度、低栅极电荷、改进dv/ dt能力
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电压VDSS
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900V
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电流ID
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2A
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电流IDM
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8A
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雪崩能力EAS
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170mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F
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替换型号
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/
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2N90Z概述
UTC 2N90Z是使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术；为用户提供平面内缟和DMOS技术。这种技术专业允许最低通态电阻和出色的开关性能。 它也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式。该UTC2N90Z在高效率开关普遍应用模式电源。
2N90Z引脚图/引脚功能
2N90Z典型应用电路图
