MOSFET
2N60Z
2016-09-07 16:56  点击:9
价格:未填
品牌:UTC
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2N60Z参数


 
   制造商
  台湾友顺科技集团公司
   产品种类
   2A,600V N沟道功率MOSFET
   产品特性
  超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
   电压VDSS
   600V
   电流ID
   2A
   电流IDM
   8A
   雪崩能力EAS
   140mJ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO220F/ TO251/ TO252
   替换型号
   /


2N60Z概述


 

2N60Z是UTC一个高电压功率MOSFET和被设计成具有更好的特性,如快速切换时间,低栅电荷,低通态电阻,改进的dv / dt能力,高耐用性,并具有高耐用雪崩特性。这个功率MOSFET通常在电源供应器,PWM马达控制,高效直流到直流转换器和桥接电路高速开关应用中使用。
 

2N60Z引脚图/引脚功能



 
UTC  2N60Z引脚图/引脚功能


 

2N60Z典型应用电路图



UTC  2N60Z典型应用电路图
联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
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