品牌:UTC
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8N80参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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8A，800V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、低CRSS、开关速度快
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电压VDSS
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800V
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电流ID
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8A
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电流IDM
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32A
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雪崩能力EAS
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850mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F/ TO220F1
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替换型号
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/
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8N80概述
UTC 8N80是N沟道型功率MOSFET，它使用UTC的先进技术，以提供的costumers条状和DMOS技术。该技术允许在国家最低电阻，优越的开关性能。它也可以承受高在雪崩和减刑模式能量脉冲。该UTC8N80在高效率开关模式普遍应用电源。改进dv/ dt能力，100％雪崩测试，符合RoHS标准的产品。
8N80引脚图/引脚功能
8N80典型应用电路图
