MOSFET
4N60K
2016-09-09 10:04  点击:63
价格:未填
品牌:UTC
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4N60K参数


 
   制造商
  台湾友顺科技集团公司
   产品种类
   4A,600V N沟道功率MOSFET
   产品特性
  超低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力
   电压VDSS
   600V
   电流ID
   4A
   电流IDM
   16A
   雪崩能力EAS
   100mJ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO220/ TO220F/ TO251/ TO252
   替换型号
   /


4N60K概述


 

4N60K是UTC一种高电压功率MOSFET,并设计成具有更好的特性,如快速开关时间,低栅极电荷,改进的dv / dt能力,高耐用性,低通态电阻和具有较高坚固耐用的特点雪崩。这个功率MOSFET通常在电源高速开关应用中,PWM马达控制,高效率的DC到DC转换器和桥电路。
 

4N60K引脚图/引脚功能


UTC 4N60K引脚图/引脚功能
 

4N60K典型应用电路图


UTC  4N60K典型应用电路图
 
联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
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