品牌:UTC
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26N50参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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26A，500V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度、100％雪崩测试
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电压VDSS
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500V
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电流ID
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26A
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电流IDM
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96A
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雪崩能力EAS
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1100mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO3P
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替换型号
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/
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26N50概述
26N50是UTC使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术，为客户提供平面条形和DMOS技术。该技术允许在国家最低电阻和出色的开关性能。它也能承受在雪崩和减刑模式高能量脉冲。该UTC26N50是高效率的开关一般用于式电源，有源功率因数校正和电子基于半桥拓扑灯镇流器。
26N50引脚图/引脚功能
26N50典型应用电路图
