品牌:UTC
发送询价
12N30参数
|
制造商
|
台湾友顺科技集团公司
|
|
产品种类
|
12A，300V N沟道功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高开关速度
|
|
电压VDSS
|
300V
|
|
电流ID
|
12A
|
|
电流IDM
|
48A
|
|
雪崩能力EAS
|
300mJ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO252
|
|
替换型号
|
/
|
12N30概述
12N30是UTC使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术，为客户提供平面条形和DMOS技术。这项技术专注于允许最低通态电阻和出色的开关性能。 它也可以承受在雪崩和减刑模式高能量脉冲。该UTC12N30是电子镇流器普遍应用基于半桥拓扑和高效率的开关模式电源。
12N30引脚图/引脚功能
12N30典型应用电路图
