品牌:UTC
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4N60Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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4A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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4A
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电流IDM
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16A
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雪崩能力EAS
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260mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F/ TO220F1/ TO251/ TO252
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替换型号
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/
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4N60Z概述
4N60Z是UTC一个高电压功率MOSFET和被设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低栅电荷，低通态电阻，雪崩能量指定，改进的dv / dt能力，高耐用性，并具有高耐用雪崩特性。这个功率MOSFET通常在电源高速开关应用，采用PWM马达控制，高效率的DC到DC转换器和桥接电路。
4N60Z引脚图/引脚功能
4N60Z典型应用电路图
