制造商

深圳华之美半导体有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

P沟道增强型功率MOSFET

沟道

P沟道

漏-源电压（最大）

-30V

栅-源电压

-12V

栅源阈值电压（典型值）

-1.0V

漏极直流电流（最大值）

-4.2A

最大脉冲漏电流

-30A

栅源通态电阻

50mΩ

封装

SOT23-3L/SOT23

代换型号

Si2341/ IRML6401/SI2307/AO3415/AO3401