MOSFET
NCE6003Y
2016-01-20 15:32  点击:169
价格:未填
品牌:NCEPOWER
起订:2500
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NCE6003Y参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

60V

连续漏极电流(最大)

3A

功率耗散(最大)

1.7W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

78mΩ

漏源导通电阻(典型值)(4.5V)

95mΩ

封装

SOT23-3L


NCE6003Y概述


该NCE6003Y采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。


NCE6003Y引脚图/引脚功能


新洁能NCE6003Y引脚图/引脚功能

NCE6003Y典型应用电路图


新洁能NCE6003Y典型应用电路图

应用领域


•  电池开关
•  直流/直流转换器

NCE6003Y典型效率曲线


新洁能NCE6003Y典型效率曲线

联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
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