品牌:NCEPOWER
起订:2500
发送询价
NCE3025Q参数
|
制造商
|
|
|
产品种类
|
|
|
产品特性
|
N沟道增强型功率MOSFET
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
30V
|
|
Id-连续漏极电流
|
25A
|
|
Pd-功率耗散
|
25W
|
|
Vgs-栅源极击穿电压
|
20V
|
|
Rds On@10V-漏源导通电阻
|
7mΩ
|
|
Rds On@4.5V-漏源导通电阻
|
10.5mΩ
|
|
封装
|
DFN3X3 8L
|
|
代换型号
|
/
|
NCE3025Q概述
NCE3025Q采用先进的沟槽技术，并具有出色的通导电阻能力和低栅极电荷。NCE3025Q具有非常广的应用范围。
NCE3025Q引脚图/引脚功能
NCE3025Q典型效率曲线
应用领域
• SMPS和常规应用
• 硬开关和高频电路
• 持续电源供应