MOSFET
NCE2004NE
2015-12-25 12:21  点击:22
价格:未填
品牌:NCEPOWER
起订:2500
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NCE2004NE参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

NCE N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

20V

连续漏极电流(最大)

6A

功率耗散(最大)

1.25W

栅源极击穿电压

10V

漏源导通电阻(4.5V)

17mΩ

封装

SOT23-6

代换型号

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NCE2004NE概述


该NCE2004NE采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。它是静电抗议。


NCE2004NE引脚图/引脚功能


新洁能NCE2004NE引脚图/引脚功能

NCE2004NE典型应用电路图


新洁能NCE2004NE典型应用电路图

应用领域


•  PWM应用
•  负荷开关

NCE2004NE典型效率曲线


新洁能NCE2004NE典型效率曲线

联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
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