MOSFET
NCE60P25
2016-01-15 16:23  点击:41
价格:未填
品牌:NCEPOWER
起订:3000
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NCE60P25参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

P沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

-60V

连续漏极电流(最大)

-20A

功率耗散(最大)

60W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

39mΩ

封装

TO220


NCE60P25概述


该NCE60P25采用先进的沟槽技术和设计以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。这设备是适合于高电流负载应用。


NCE60P25引脚图/引脚功能


新洁能NCE55P30K引脚图/引脚功能

NCE60P25典型应用电路图


新洁能NCE55P30K典型应用电路图

应用领域


•  高边开关全桥变换器
•  直流/直流转换器,用于LCD显示器

NCE60P25典型效率曲线


新洁能NCE55P30K典型效率曲线

联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
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