MOSFET
NCE55P30
2016-01-15 15:50  点击:42
价格:未填
品牌:NCEPOWER
起订:3000
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NCE55P30参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

P沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

-55V

连续漏极电流(最大)

-30A

功率耗散(最大)

80W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

30mΩ

封装

TO220


NCE55P30概述


该NCE55P30采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。


NCE55P30引脚图/引脚功能


新洁能NCE55P30引脚图/引脚功能

NCE55P30典型应用电路图


新洁能NCE55P30典型应用电路图

应用领域


•  电源开关的应用
•  硬开关和高频电路
•  不间断电源供应

NCE55P30典型效率曲线


新洁能NCE55P30典型效率曲线

联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
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