描述

NCE70N100I采用先进的沟槽技术和设计，提供极低的栅极充电。它可以用于各种各样的应用程序。

一般特征

V DS = 100V,I D =57A。

R DS()< 16 m ?@ vgs =10V (Typ:12m?)

具有高ESD能力的特殊工艺技术。

●设计超低Rdson高密度细胞

充分描述雪崩电压和电流。

具有良好的稳定性和均匀性。

●优异的散热方案好

应用程序

●功率切换应用程序

硬开关和高频电路。

●不间断电源