品牌:华润华晶
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CS120N08 AR参数
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制造商
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无锡华润华晶微电子有限公司
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产品种类
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硅N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低导通电阻、低反向传输电容
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电流ID
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120A
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源极电压VDSS
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85V
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导通内阻RDS
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0.0075Ω
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工作温度
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-55°C~ +175°C
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封装
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TO-262
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替换型号
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CS120N08 AR概述
CS120N08 AR是硅N沟道增强型VDMOSFET，采用先进的沟槽技术，可降低导通损耗，提高开关性能，提高雪崩能量。晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。包装形式为TO-262，符合RoHS标准。
CS120N08 AR应用领域
● 适配器和充电器的电源开关电路