品牌:华之美
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HM2103B参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
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产品特性
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输出源/漏极电流能力、独立逻辑输入
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工作电压
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10V-20V/高端工作电压600V
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静态电流
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150uA
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I/O拉电流
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0.3A
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I/O灌电流
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0.6A
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上升时间
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60nS
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开延时
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500nS
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工作温度
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-40°C~ +85°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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IR2103/IR2108
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HM2103B概述
HM2103B是基于P_SUB P_EPI工艺的高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可用于驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT，半桥配置工作电压高达600 V.逻辑 输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。匹配传播延迟以简化在高频应用中的使用。
HM2103B引脚图/引脚功能
HM2103B应用
● 中小功率电机驱动器
● 功率MOSFET或IGBT驱动器
● 半桥电源转换器
● 全桥电源转换器