品牌:华之美
发送询价
HMS11N60/F/D参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N沟道超结功率MOSFET
|
|
产品特性
|
优异的栅极电荷、导通电阻非常低
|
|
漏源电压VDS
|
600V
|
|
栅源电压VGS
|
30V
|
|
电流ID
|
11A
|
|
电流IDM
|
33A
|
|
导通内阻RDS
|
300mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO-220/TO-220F/TO-263
|
|
替换型号
|
IPP60R330P6/IPA60R330P6/IPP60R380/IPA60R380/IPP60R450E6/IPA60R450E6/IPA60R400CE/IPA60R460CE
|
HMS11N60/F/D概述
HMS11N60/F/D该系列器件采用先进的超结技术和设计提供优异的R DS（ON）低栅极电荷。 这种超结MOSFET适合行业AC-DC SMPS要求为PFC，AC / DC电源转换和工业电源应用。高压设备的新技术，低导通电阻和低导通损耗，超低门极电荷导致较低的驱动要求，100％雪崩测试，符合ROHS标准，小包装。
HMS11N60/F/D引脚图/引脚功能
HMS11N60/F/D典型应用电路图
HMS11N60/F/D应用
● 功率因数校正（PFC）
● 开关电源（SMPS）
● 不间断电源（UPS）